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Transistor MOSFET - IRLL110PBF - Canal-N - 1.5A - 100 V - SOT-223 - 4 broches (Neuf)

Neuf
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TransisIRLL110PBF

Transistor MOSFET - IRLL110PBF - Canal-N - 1.5A - 100 V - SOT-223 - 4 broches (Neuf)

Capacitance d'entrée typique @ Vds : 250 pF V @ 25

Catégorie : MOSFET de puissance

Charge de Grille type @ Vgs          : 6,1 nC V @ 5

Configuration : Double Drain, Simple

Courant continu de Drain maximum : 1,5 A

Dimensions : 6.7 x 3.7 x 1.45mm

Dissipation de puissance maximum : 2 W

Hauteur : 1.45mm

Largeur : 3.7mm

Longueur : 6.7mm

Mode canal : Enhancement

Nombre d'éléments par circuit : 1

Nombre de broche : 4

Retard au blocage typique : 16 ns

Retard à la conduction typique : 9,3 ns

Résistance Drain Source maximum : 0,54 Ω

Température d'utilisation maximum : +150 °C

Température de fonctionnement minimum : -55 °C

Tension Drain Source maximum : 100 V

Tension Grille Source maximum : ±10 V

Type de boîtier : SOT-223

Type de canal : N

Type de montage : CMS 

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Transistor MOSFET - IRLL110PBF - Canal-N - 1.5A - 100 V - SOT-223 - 4 broches (Neuf)Capacitance d'entrée typique @ Vds : 250 pF V @ 25Catégorie : MOSFET de puissanceCharge de Grille type @ Vgs          : 6,1 nC V @ 5Configuration : Double Drain, SimpleCourant continu de Drain maximum : 1,5 ADimensions : 6.7 x 3.7 x 1.45mmDissipation de puissance maximum : 2 WHauteur : 1.45mmLargeur : 3.7mmLongueur : 6.7mmMode canal : EnhancementNombre d'éléments par circuit : 1Nombre de broche : 4Retard au blocage typique : 16 nsRetard à la conduction typique : 9,3 nsRésistance Drain Source maximum : 0,54 ΩTempérature d'utilisation maximum : +150 °CTempérature de fonctionnement minimum : -55 °CTension Drain Source maximum : 100 VTension Grille Source maximum : ±10 VType de boîtier : SOT-223Type de canal : NType de montage : CMS Composants Electroniques17053 2.82JSFrance0out_of_stock
https://www.jsfrance.comTransistor MOSFET - IRLL110PBF - Canal-N - 1.5A - 100 V - SOT-223 - 4 broches (Neuf)