Transistor MOSFET - IRF7853PBF - Canal-N - 8.3A - 100 V - SOIC - 8 broches (Neuf)

Caractéristiques Techniques :

Capacitance d'entrée typique @ Vds : 1640 pF V @ 25

Catégorie : MOSFET de puissance

Charge de Grille type @ Vgs : 28 nC V @ 10

Configuration : Quad Drain, Single, Triple Source

Courant continu de Drain maximum : 8,3 A

Dimensions : 5 x 4 x 1.5mm

Dissipation de puissance maximum : 2,5 W

Hauteur : 1.5mm

Largeur : 4mm

Longueur : 5mm

Mode canal : Enhancement

Nombre d'éléments par circuit : 1

Nombre de broche : 8

Retard au blocage typique : 26 ns

Retard à la conduction typique : 13 ns

Résistance Drain Source maximum : 0,018 Ω

Température d'utilisation maximum : +150 °C

Température de fonctionnement minimum : -55 °C

Tension Drain Source maximum : 100 V

Tension Grille Source maximum : ±20 V

Type de boîtier : SOIC

Type de canal : N

Type de montage : CMS