Transistor MOSFET - SI4410DYPBF - Canal-N - 10A - 30V - SOIC - 8 broches (Neuf)
TransisSI4410DYPBF
Caractéristiques Techniques :
Capacitance d'entrée typique @ Vds : 1585 pF V @ 15
Catégorie : MOSFET de puissance
Charge de Grille type @ Vgs : 30 nC V @ 10
Configuration : Quad Drain, Single, Triple Source
Courant continu de Drain maximum : 10 A
Dimensions : 5 x 4 x 1.5mm
Dissipation de puissance maximum : 2,5 W
Hauteur : 1.5mm
Largeur : 4mm
Longueur : 5mm
Mode canal : Enhancement
Nombre d'éléments par circuit : 1
Nombre de broche : 8
Retard au blocage typique : 38 ns
Retard à la conduction typique : 11 ns
Résistance Drain Source maximum : 0,014 Ω
Température d'utilisation maximum : +150 °C
Température de fonctionnement minimum : -55 °C
Tension Drain Source maximum : 30 V
Tension Grille Source maximum : ±20 V
Type de boîtier : SOIC
Type de canal : N
Type de montage : CMS
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