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Transistor MOSFET - SI4410DYPBF - Canal-N - 10A - 30V - SOIC - 8 broches (Neuf)

Neuf
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TransisSI4410DYPBF

Transistor MOSFET - SI4410DYPBF - Canal-N - 10A - 30V - SOIC - 8 broches (Neuf)

Caractéristiques Techniques :

Capacitance d'entrée typique @ Vds : 1585 pF V @ 15

Catégorie : MOSFET de puissance

Charge de Grille type @ Vgs : 30 nC V @ 10

Configuration           : Quad Drain, Single, Triple Source

Courant continu de Drain maximum : 10 A

Dimensions : 5 x 4 x 1.5mm

Dissipation de puissance maximum : 2,5 W

Hauteur : 1.5mm

Largeur : 4mm

Longueur : 5mm

Mode canal : Enhancement

Nombre d'éléments par circuit : 1

Nombre de broche : 8

Retard au blocage typique : 38 ns

Retard à la conduction typique : 11 ns

Résistance Drain Source maximum : 0,014 Ω

Température d'utilisation maximum : +150 °C

Température de fonctionnement minimum : -55 °C

Tension Drain Source maximum : 30 V

Tension Grille Source maximum : ±20 V

Type de boîtier : SOIC

Type de canal           : N

Type de montage : CMS

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Transistor MOSFET - SI4410DYPBF - Canal-N - 10A - 30V - SOIC - 8 broches (Neuf)Caractéristiques Techniques :Capacitance d'entrée typique @ Vds : 1585 pF V @ 15Catégorie : MOSFET de puissanceCharge de Grille type @ Vgs : 30 nC V @ 10Configuration           : Quad Drain, Single, Triple SourceCourant continu de Drain maximum : 10 ADimensions : 5 x 4 x 1.5mmDissipation de puissance maximum : 2,5 WHauteur : 1.5mmLargeur : 4mmLongueur : 5mmMode canal : EnhancementNombre d'éléments par circuit : 1Nombre de broche : 8Retard au blocage typique : 38 nsRetard à la conduction typique : 11 nsRésistance Drain Source maximum : 0,014 ΩTempérature d'utilisation maximum : +150 °CTempérature de fonctionnement minimum : -55 °CTension Drain Source maximum : 30 VTension Grille Source maximum : ±20 VType de boîtier : SOICType de canal           : NType de montage : CMSComposants Electroniques17060 1.65JSFrance0out_of_stock
https://www.jsfrance.comTransistor MOSFET - SI4410DYPBF - Canal-N - 10A - 30V - SOIC - 8 broches (Neuf)