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Transistor MOSFET - Canal-N - 60A - 300 V - Max247 - 3 broches (Neuf)

Neuf
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TransSTY60NK30Z

Transistor MOSFET - Canal-N - 60A - 300 V - Max247 - 3 broches (Neuf)

Caractéristiques Techniques :

Type de canal : N

Courant continu de Drain maximum : 60 A

Tension Drain Source maximum : 300 V

Résistance Drain Source maximum : 0,045 Ω

Tension de seuil maximale de la grille : 4.5V

Tension de seuil minimale de la grille : 3V

Tension Grille Source maximum : ±30 V

Type de boîtier : Max247

Type de montage : Traversant

Nombre de broche : 3

Mode canal : Enhancement

Catégorie : MOSFET de puissance

Dissipation de puissance maximum : 450 W

Configuration : Simple

Longueur : 15.9mm

Dimensions : 15.9 x 5.3 x 20.3mm

Largeur : 5.3mm

Nombre d'éléments par circuit : 1

Retard à la conduction typique : 50 ns

Charge de Grille type @ Vgs : 220 nC @ 10 V

Capacitance d'entrée typique @ Vds : 7200 pF @ 25 V

Retard au blocage typique : 150 ns

Hauteur : 20.3mm

Température d'utilisation maximum : +150 °C

Température de fonctionnement minimum : -55 °C

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Transistor MOSFET - Canal-N - 60A - 300 V - Max247 - 3 broches (Neuf)Caractéristiques Techniques :Type de canal : NCourant continu de Drain maximum : 60 ATension Drain Source maximum : 300 VRésistance Drain Source maximum : 0,045 ΩTension de seuil maximale de la grille : 4.5VTension de seuil minimale de la grille : 3VTension Grille Source maximum : ±30 VType de boîtier : Max247Type de montage : TraversantNombre de broche : 3Mode canal : EnhancementCatégorie : MOSFET de puissanceDissipation de puissance maximum : 450 WConfiguration : SimpleLongueur : 15.9mmDimensions : 15.9 x 5.3 x 20.3mmLargeur : 5.3mmNombre d'éléments par circuit : 1Retard à la conduction typique : 50 nsCharge de Grille type @ Vgs : 220 nC @ 10 VCapacitance d'entrée typique @ Vds : 7200 pF @ 25 VRetard au blocage typique : 150 nsHauteur : 20.3mmTempérature d'utilisation maximum : +150 °CTempérature de fonctionnement minimum : -55 °CComposants Electroniques17735 11.82JSFrance0out_of_stock
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