Bipolar Transistor 2N5551G (New)
Neuf
.2N5551G
Specifications :
Bipolar Transistor 2N5551G
Maximum DC Collector: 0.6 A
Dimensions: 5.33 x 5.2 x 4.19mm
Maximum power dissipation: 625 mW
Maximum operating frequency: 300 MHz
Minimum current gain DC: 30V
Operating temperature range: - 55 ° C to + 150 ° C
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