Transistor MOSFET canal N 500V 5.6A (Neuf)
Neuf
.MOSFET500V
Caractéristiques techniques
Capacitance d'entrée typique @ Vds | 690 pF V @ 25 | |
Catégorie | MOSFET de puissance | |
Charge de Grille type @ Vgs | 24,6 nC V @ 10 | |
Courant continu de Drain maximum | 5.6 A | |
Dimensions | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
Dissipation de puissance maximum | 90 W | |
Hauteur | 2.4mm | |
Largeur | 6.2mm | |
Longueur | 6.6mm | |
Mode canal | Enhancement | |
Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
Nombre de broche | 3 | |
Retard au blocage typique | 31 ns | |
Retard à la conduction typique | 12 ns | |
Résistance Drain Source maximum | 1.2 Ω | |
Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
Tension Drain Source maximum | 500 V | |
Tension Grille Source maximum | ±30 V | |
Type de boîtier | TO-252 | |
Type de canal | N | |
Type de montage | CMS |
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