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Transistor MOSFET canal N 500V 5.6A (Neuf)

Neuf
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MOSFET500V

Transistor MOSFET canal N 500V 5.6A (Neuf)

Caractéristiques techniques

Capacitance d'entrée typique @ Vds690 pF V @ 25
CatégorieMOSFET de puissance
Charge de Grille type @ Vgs24,6 nC V @ 10
Courant continu de Drain maximum5.6 A
Dimensions6.6 x 6.2 x 2.4mm
Dissipation de puissance maximum90 W
Hauteur2.4mm
Largeur6.2mm
Longueur6.6mm
Mode canal Enhancement
Nombre d'éléments par circuit1
Nombre de broche3
Retard au blocage typique31 ns
Retard à la conduction typique12 ns
Résistance Drain Source maximum1.2 Ω
Température d'utilisation maximum+150 °C
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Tension Drain Source maximum500 V
Tension Grille Source maximum±30 V
Type de boîtierTO-252
Type de canalN
Type de montageCMS
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Transistor MOSFET canal N 500V 5.6A (Neuf)Caractéristiques techniques Capacitance d'entrée typique @ Vds690 pF V @ 25 CatégorieMOSFET de puissance Charge de Grille type @ Vgs24,6 nC V @ 10 Courant continu de Drain maximum5.6 A Dimensions6.6 x 6.2 x 2.4mm Dissipation de puissance maximum90 W Hauteur2.4mm Largeur6.2mm Longueur6.6mm Mode canal Enhancement Nombre d'éléments par circuit1 Nombre de broche3 Retard au blocage typique31 ns Retard à la conduction typique12 ns Résistance Drain Source maximum1.2 Ω Température d'utilisation maximum+150 °C Température de fonctionnement minimum -55 °C Tension Drain Source maximum500 V Tension Grille Source maximum±30 V Type de boîtierTO-252 Type de canalN Type de montageCMSComposants Electroniques4135 1.74JSFrance0out_of_stock
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