Transistor bipolaire à porte isolée - IGBT IRG4PC50FPBF (Neuf)
TransisIGBT
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif
à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute
efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les
caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité
courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires
en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande,
et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un
circuit simple.Transistors bipolaires à porte isolée
Caractéristiques techniques
Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 70 A Dimensions 15.9 x 5.3 x 20.3mm Hauteur 20.3mm Largeur 5.3mm Longueur 15.9mm Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +150 °C Température de fonctionnement minimum -55 °C Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V Tension Grille Emetteur maximum ±20V Type de boîtier TO-247AC Type de canal N Type de montage Traversant
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